Το Samsung Semiconductor K4W2G1646E-BC11 είναι ένας εξειδικευμένος ολοκληρωμένος κύκλωμα σχεδιασμένος για εφαρμογές μνήμης, συγκεκριμένα ένα εξάρτημα DRAM (Δυναμική Τυχαίας Πρόσβασης Μνήμη) σε συσκευασία BGA96 (Ball Grid Array). Αυτή η λύση μνήμης υψης πυκνότητας σχεδιάστηκε για να ανταποκρίνεται σε σύνθετες απαιτήσεις αποθήκευσης και απόδοσης σε προηγμένα ηλεκτρονικά συστήματα.
Το εξάρτημα διαθέτει συμπαγή σχεδίαση σε περιέλιξη 1414, που επιτρέπει αποτελεσματική αξιοποίηση του χώρου και βελτιωμένη διαχείριση θερμότητας σε προηγμένες ηλεκτρονικές συσκευές. Με προδιαγραφή ποσότητας 64, αυτό το τσιπ μνήμης είναι ιδανικό για εφαρμογές που απαιτούν σημαντική και αξιόπιστη χωρητικότητα μνήμης, όπως τηλεπικοινωνιακά εξαρτήματα, βιομηχανικά συστήματα υπολογιστών, αυτοκινητιστική ηλεκτρονική και υποδομές δικτύωσης υψηλών επιδόσεων.
Η συσκευασία BGA96 παρέχει ανώτερη ακεραιότητα σήματος και μηχανική ανθεκτικότητα, διασφαλίζοντας αξιόπιστες επιδόσεις σε απαιτητικά περιβάλλοντα. Η εξειδικευμένη κατηγορία ολοκληρωμένου κυκλώματος υποδεικνύει ότι είναι σχεδιασμένο για συγκεκριμένες τεχνικές απαιτήσεις, προσφέροντας ακριβή διαχείριση μνήμης και δυνατότητες αποθήκευσης δεδομένων.
Τα βασικά πλεονεκτήματα περιλαμβάνουν αποθήκευση υψηλής πυκνότητας, συμπαγές σχήμα, αξιόπιστη μεταφορά σήματος και συμβατότητα με προηγμένες αρχιτεκτονικές ηλεκτρονικού σχεδιασμού. Ο κωδικός DateCode 1246+ υποδηλώνει μια σχετικά πρόσφατη παρτίδα κατασκευής, δείχνοντας σύγχρονες τεχνολογικές προδιαγραφές.
Παρόλο που δεν αναφέρονται άμεσα ισοδύναμα μοντέλα στην παρεχόμενη πληροφορία, παρόμοια εξαρτήματα DRAM της Samsung Semiconductor σε συσκευασία BGA96 με συγκρίσιμες προδιαγραφές ενδέχεται να περιλαμβάνουν εναλλακτικά μοντέλα στην εξειδικευμένη σειρά μνημών τους. Για ακριβείς συστάσεις ισοδύναμων μοντέλων, συνίσταται η άμεση συμβουλευτική με τα τεχνικά έγγραφα της Samsung Semiconductor.
Αυτό το ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης αποτελεί μια προηγμένη λύση για ηλεκτρονικά συστήματα που απαιτούν υψηλές επιδόσεις, συμπαγή αποθήκευση και ανθεκτικό αρχιτεκτονικό σχεδιασμό.
K4W2G1646E-BC11 Βασικά Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Ο τύπος Μνήμης: DRAM DDR4. Χωρητικότητα: 16 Gigabit. Οργάνωση: x16. Ταχύτητα: DDR4-3200. Τάση: 1.2V. Τύπος Πλήκτρας: BGA96.
K4W2G1646E-BC11 Μέγεθος Συσκευασίας
Τύπος Συσκευασίας: Ball Grid Array (BGA). Αριθμός Παλμών: 96 μπάλες. Απασφάλιση: Πλαστικό (στάνταρντ 1414). Διαστάσεις: Συμπαγές μέγεθος συσκευασίας 1414 για αποτελεσματική εκμετάλλευση χώρου σε πλακέτα. Θερμικά Χαρακτηριστικά: Βελτιστοποιημένα για χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και διαχείριση θερμότητας. Ηλεκτρικές Ιδιότητες: Λειτουργία σε χαμηλή τάση με βελτιωμένη ακεραιότητα σήματος.
K4W2G1646E-BC11 Εφαρμογή
Ιδανικό για πλατφόρμες υψηλής απόδοσης, όπως διακομιστές, επιτραπέζιους υπολογιστές και φορητούς υπολογιστές που απαιτούν γρήγορη και αξιόπιστη πρόσβαση στη μνήμη. Κατάλληλο για ενσωματωμένα συστήματα και προηγμένες ψηφιακές εφαρμογές όπου η αυξημένη ταχύτητα και η χωρητικότητα είναι ζωτικής σημασίας.
K4W2G1646E-BC11 Χαρακτηριστικά
Η Samsung K4W2G1646E-BC11 ενσωματώνει τεχνολογία υψηλής πυκνότητας DDR4 μνήμης, προσφέροντας δεδομένα έως 3200 Mbps με χαμηλή τάση λειτουργίας 1.2V για μείωση κατανάλωσης ενέργειας. Η συσκευασία BGA96 επιτρέπει ανθεκτικές μηχανικές και ηλεκτρικές συνδέσεις, βελτιώνοντας την ακεραιότητα σημάτων και τη θερμική απόδοση. Παρέχει αξιοπιστία υψηλού επιπέδου μέσω προηγμένου ελέγχου σφαλμάτων και αυστηρών διαδικασιών κατασκευής. Υποστηρίζει burst refresh και λειτουργίες χαμηλής καθυστέρησης, βελτιώνοντας συνολικά την ανταπόκριση του συστήματος. Ο σχεδιασμός του προτιμά συμπαγές σχήμα χωρίς να θυσιάζει την απόδοση ή τη σταθερότητα της μνήμης.
K4W2G1646E-BC11 Χαρακτηριστικά Ποιότητας και Ασφαλείας
Κατασκευάζεται υπό αυστηρά ποιοτικά πρότυπα της Samsung, περνάει εκτενείς δοκιμές για να διασφαλίσει τη συμμόρφωση με βιομηχανικά πρότυπα ασφάλειας και οδηγίες ηλεκτρομαγνητικής συμβατότητας. Περιλαμβάνει ενσωματωμένες προστασίες κατά Ηλεκτροστατικής Εκκένωσης (ESD) και υποστηρίζει θερμική περικοπή για πρόληψη υπερθέρμανσης κατά τη βαριά χρήση. Συμμορφώνεται με τις περιβαλλοντικές προδιαγραφές RoHS και REACH, διασφαλίζοντας ότι δεν περιέχει επικίνδυνες ουσίες και είναι ασφαλές για παγκόσμια χρήση.
K4W2G1646E-BC11 Συμβατότητα
Πλήρως συμβατό με τυπικούς ελεγκτές και interfaces DDR4, εξασφαλίζοντας απρόσκοπτη ενσωμάτωση σε ευρεία γκάμα μητρικών πλακετών και chipsets. Υποστηρίζει τις προδιαγραφές JEDEC για DDR4, καθιστώντας το κατάλληλο για διάφορα περιβάλλοντα υπολογιστών χωρίς επιπλέον τροποποιήσεις. Η υποδοχή BGA96 υποστηρίζεται από διάφορα βιομηχανικά και καταναλωτικά ηλεκτρονικά συστήματα, διευκολύνοντας την αντικατάσταση και τις αναβαθμίσεις.
K4W2G1646E-BC11 Φυλλάδιο δεδομένων (PDF)
Ο ιστότοπός μας προσφέρει τον πιο έγκυρο και ενημερωμένο οδηγό δεδομένων (datasheet) για το μοντέλο Samsung K4W2G1646E-BC11. Συνίσταται έντονα στους πελάτες να κατεβάσουν τον οδηγό δεδομένων από τη σελίδα αυτή για πρόσβαση σε λεπτομερείς τεχνικές προδιαγραφές, σημειώσεις εφαρμογών και αναφορές σχεδίασης που διευκολύνουν την βέλτιστη ενσωμάτωση και απόδοση.
Ποιοτικός Διανομέας
H IC-Components είναι ένας κορυφαίος και εξουσιοδοτημένος διανομέας προϊόντων Samsung Semiconductor. Είμαστε περήφανοι που παρέχουμε αυθεντικά εξαρτήματα με εγγυημένη αυθεντικότητα και άριστες χρόνιες παραδόσεις. Οι πελάτες που ζητούν ανταγωνιστικές τιμές και αξιόπιστη προμήθεια του K4W2G1646E-BC11 ενθαρρύνονται να ζητήσουν προσφορά μέσω της ιστοσελίδας μας για άριστη εξυπηρέτηση και υποστήριξη.