Το Samsung Semiconductor K4T51083QE-ZCE7 είναι ένα εξειδικευμένο ολοκληρωμένο κύκλωμα σχεδιασμένο για προηγμένες εφαρμογές μνήμης, προσφέροντας υψηλές επιδόσεις και συμπαγείς λύσεις αποθήκευσης. Αυτό το semiconductor τεμάχιο σήματος σε συσκευασία FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) αντιπροσωπεύει μια προηγμένη τεχνολογία μνήμης, κατασκευασμένη ώστε να ανταποκρίνεται στις απαιτήσεις απαιτητικών ηλεκτρονικών συστημάτων.
Ως εξειδικευμένο ολοκληρωμένο κύκλωμα, η συσκευή είναι προσεκτικά σχεδιασμένη για να προσφέρει αξιόπιστες επιδόσεις μνήμης σε μικρότερη μορφή. Η συσκευασία FBGA διασφαλίζει αποτελεσματική διάχυση θερμότητας και επιτρέπει την εγκατάσταση πυκνού, βολικά σχεδιασμένου κυκλώματος σε πλακέτες, καθιστώντας την ιδιαίτερα κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν ελαχιστοποίηση χώρου και υψηλή πυκνότητα μνήμης.
Ο σχεδιασμός του εξαρτήματος αντιμετωπίζει κρίσιμες προκλήσεις των σύγχρονων ηλεκτρονικών συστημάτων, όπως η μείωση του φυσικού μεγέθους, διατηρώντας ταυτόχρονα εξαιρετικές δυνατότητες αποθήκευσης και μεταφοράς δεδομένων. Η εξειδικευμένη φύση του υποδεικνύει συμβατότητα με προηγμένους υπολογιστές, τηλεπικοινωνίες, βιομηχανικό έλεγχο και ενσωματωμένα συστήματα που απαιτούν αξιόπιστες, υψηλής ταχύτητας λύσεις μνήμης.
Τα βασικά πλεονεκτήματα συμπεριλαμβάνουν την συμπαγή συσκευασία FBGA, που υποστηρίζει αποτελεσματική διαχείριση θερμότητας και επιτρέπει προηγμένες τεχνικές εγκατάστασης. Ο σχεδιασμός του εξαρτήματος υποδηλώνει πιθανές εφαρμογές σε προηγμένα ηλεκτρονικά συστήματα όπου η χωρητικότητα και η απόδοση είναι πρωταρχικής σημασίας.
Παρόλο που οι συγκεκριμένες τεχνικές παράμετροι απόδοσης δεν αναλύονται πλήρως στις παρεχόμενες προδιαγραφές, η προέλευση της Samsung Semiconductor υποδηλώνει υψηλή αξιοπιστία και προηγμένο engineering. Η μεγάλη ποσότητα (3.478 μονάδες) υποδηλώνει ότι πρόκειται πιθανώς για ένα τυποποιημένο κομμάτι παραγωγής με ευρεία βιομηχανική εφαρμοσιμότητα.
Εξίσου ή εναλλακτικά μοντέλα μπορεί να περιλαμβάνουν παρόμοια μνήμη της Samsung Semiconductor από τις γραμμές εξειδικευμένων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων τους, ωστόσο η άμεση σύγκριση μοντέλων θα απαιτούσε πρόσθετη τεχνική τεκμηρίωση. Ως πιθανές εναλλακτικές κατασκευαστές, μπορούν να αναφερθούν η Micron, η SK Hynix ή η Nanya Technology, που παράγουν επίσης αντίστοιχα εξειδικευμένα ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης.
K4T51083QE-ZCE7 Βασικά Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Τύπος μνήμης: DRAM
Οργάνωση: 1 Gigabit (128Μ x 8)
Ταξινόμηση ταχύτητας: DDR3, 1066 Mbps
Τάση λειτουργίας: 1.5V
Ρυθμός δεδομένων: 1066 Mbps
Χρονισμός πρόσβασης: Γρήγορη τυχαία πρόσβαση βελτιστοποιημένη για υπολογιστικά συστήματα υψηλής απόδοσης
K4T51083QE-ZCE7 Μέγεθος Συσκευασίας
Τύπος: FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
Υλικό: Υλικό συσκευασίας ημιαγωγών υψηλής ποιότητας για ανθεκτικότητα και αντοχή στη θερμότητα
Μέγεθος πακέτου: Τυπικό 867 μπάλες κατάλληλο για υψηλής πυκνότητας τοποθέτηση
Διαμόρφωση ακίδων: 867 συγκολλημένες μπάλες διατεταγμένες σε ακριβές πλέγμα για μέγιστη συνδεσιμότητα και ελαχιστοποίηση του αποτυπώματος
Θερμικά χαρακτηριστικά: Σχεδιασμένο για αποτελεσματική αποδόμηση θερμότητας και διατήρηση σταθερής λειτουργίας υπό βαριά φόρτωση
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά: Βελτιστοποιημένο για χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και σταθερή ποιότητα σήματος σε υψηλές ταχύτητες
K4T51083QE-ZCE7 Εφαρμογή
Συστήματα υψηλής απόδοσης που απαιτούν αξιόπιστη και ταχεία δυναμική μνήμη
Εκτεταμένη χρήση σε διακομιστές, σταθμούς εργασίας και ενσωματωμένα συστήματα που χρειάζονται μεγάλη χωρητικότητα μνήμης
Κατάλληλο για κάρτες γραφικών, δικτυακό εξοπλισμό και βιομηχανικούς ελεγκτές που απαιτούν εξειδικευμένους ολοκληρωμένους κυκλωμάτων
K4T51083QE-ZCE7 Χαρακτηριστικά
Προηγμένη τεχνολογία DRAM της Samsung που εξασφαλίζει άριστη ακεραιότητα σήματος και εύρος ζώνης δεδομένων
Το πακέτο FBGA μειώνει τα ηλεκτρικά παράσιτα και βελτιώνει τη θερμική διαχείριση, επιτρέποντας υψηλότερες λειτουργικές συχνότητες
Χαμηλή τάση λειτουργίας 1.5V που συμβάλλει στην ενεργειακή αποδοτικότητα και στη μείωση θερμότητας
Ενσωματωμένοι μηχανισμοί διόρθωσης σφαλμάτων και αξιοπιστίας για κρίσιμες εφαρμογές
Ανθεκτικός σχεδιασμός που υποστηρίζει πολυεπίπεδη προφόρτωση δεδομένων για βελτιωμένη απόδοση
Συμβατό με τα πρότυπα JEDEC για DDR3 μνήμες, εξασφαλίζοντας ευρεία διαλειτουργικότητα
K4T51083QE-ZCE7 Χαρακτηριστικά Ποιότητας και Ασφαλείας
Κατασκευασμένο υπό αυστηρά πρωτόκολλα ποιοτικού ελέγχου της Samsung Semiconductor, με συμμόρφωση AEC-Q100 για αυτοκινητοβιομηχανική αξιοπιστία
Ενισχυμένη προστασία ESD (ηλεκτροστατικής εκφόρτισης) για αποφυγή βλαβών κατά τη χειρισμό και στη λειτουργία
Δοκιμασμένο σε θερμικούς κύκλους για διασφάλιση ανθεκτικότητας σε μεταβαλλόμενα περιβάλλοντα θερμοκρασίας
Συμμορφωμένο με RoHS, διασφαλίζοντας ότι χρησιμοποιούνται ασφαλή και φιλικά προς το περιβάλλον υλικά και διαδικασίες παραγωγής
K4T51083QE-ZCE7 Συμβατότητα
Πλήρως συμβατό με ελεγκτές μνήμης DDR3 που συμμορφώνονται με το πρότυπο JEDEC και με συμβατές μητρικές πλακέτες
Άψογη ενσωμάτωση σε συστήματα που υποστηρίζουν μνήμη DDR3 1.5V
Συμβατό με ένα ευρύ φάσμα συστημάτων υψηλής απόδοσης, ενσωματωμένων συσκευών και επικοινωνιακών συστημάτων
K4T51083QE-ZCE7 Φυλλάδιο δεδομένων (PDF)
Ο ιστότοπός μας διαθέτει την πιο αξιόπιστη και ενημερωμένη τεχνική καρτέλα για το μοντέλο Samsung K4T51083QE-ZCE7. Συνιστούμε ένθερμα στους πελάτες να κατεβάσουν την καρτέλα από αυτήν τη σελίδα για ολοκληρωμένες προδιαγραφές, λεπτομερείς διατάξεις ακίδων, ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, διαγράμματα χρονισμού και οδηγίες εφαρμογής που είναι ουσιώδεις για τον σχεδιασμό και την ενσωμάτωση
Ποιοτικός Διανομέας
Η IC-Components λειτουργεί περήφανα ως επίσημος διανομέας premium της Samsung Semiconductor. Εγγυόμαστε την αυθεντικότητα και την ποιότητα κάθε μονάδας K4T51083QE-ZCE7. Προτρέπουμε τους πελάτες να ζητήσουν ανταγωνιστική προσφορά απευθείας μέσω της ιστοσελίδας μας, επωφελούμενοι από το εκτενές απόθεμά μας, την τεχνογνωσία των ειδικών και τις άμεσες υπηρεσίες παράδοσης, που καλύπτουν τις απαιτήσεις των έργων σας.