Το Samsung Semiconductor K4T1G164QJ-BCE7 είναι ένας εξειδικευμένος ολοκληρωμένος κυκλώνας σχεδιασμένος για εφαρμογές υψηλής απόδοσης μνήμης, συγκεκριμένα μια προηγμένη λύση DRAM (Dynamic Random Access Memory) σε συσκευασία Ball Grid Array (BGA). Αυτό το μοντέλο μνήμης αντιπροσωπεύει ένα ακριβώς σχεδιασμένο εξάρτημα, προσανατολισμένο κυρίως σε προηγμένα ηλεκτρονικά συστήματα που απαιτούν αξιόπιστη και αποδοτική απόδοση μνήμης.
Το εξάρτημα χαρακτηρίζεται από την συμπαγή του συσκευασία BGA, η οποία επιτρέπει την πυκνή και αποδοτική ενσωμάτωση σε σύνθετα ηλεκτρονικά σχέδια. Η τεχνολογία μηχανικής της Samsung διασφαλίζει την βέλτιστη ακεραιότητα του σήματος και τη διαχείριση της θερμότητας μέσω αυτής της προηγμένης τεχνολογίας συσκευασίας. Με έναν μεγάλο αριθμό διαθεσίμων 9000 μονάδων, το K4T1G164QJ-BCE7 είναι κατάλληλο για μαζική παραγωγή και βιομηχανική εφαρμογή.
Ο ολοκληρωμένος κύκλωνας μνήμης έχει σχεδιαστεί για να αντιμετωπίζει κρίσιμα ζητήματα στο σχεδιασμό σύγχρονων ηλεκτρονικών συστημάτων, όπως η μικροεπεξεργασία, η υψηλή ταχύτητα επεξεργασίας δεδομένων και η βελτιωμένη ενεργειακή απόδοση. Η εξειδικευμένη φύση του το καθιστά ιδιαίτερα χρήσιμο σε εφαρμογές όπως η τηλεπικοινωνιακή υποδομή, τα αυτοκινητικά ηλεκτρονικά, τα συστήματα ελέγχου βιομηχανίας και προηγμένες πλατφόρμες υπολογιστών.
Παρόλο που οι τεχνικές παράμετροι είναι ιδιωτικές, η συσκευασία BGA υποδηλώνει υψηλή πυκνότητα διασύνδεσης και ανώτερη ηλεκτρική απόδοση. Το συγκεκριμένο εξάρτημα πιθανόν να προσφέρει ανταγωνιστικά χαρακτηριστικά μνήμης, όπως χαμηλό λανθάνων, ανθεκτικότητα δεδομένων και αξιόπιστη λειτουργία, σύμφωνα με τα υψηλά στάνταρ της Samsung στα ημιαγωγικά προϊόντα.
Πιθανές εναλλακτικές ή ισοδύναμες μονάδες στη γραμμή προϊόντων μνήμης της Samsung μπορεί να περιλαμβάνουν παρόμοιες λύσεις DRAM σε συσκευασία BGA within της εξειδικευμένης τους συλλογής IC, αν και η ακριβής αντιστοιχία μοντέλου θα απαιτήσει λεπτομερή τεχνική αξιολόγηση.
Το K4T1G164QJ-BCE7 αποτελεί ένα δείγμα της δέσμευσης της Samsung Semiconductor στην παροχή προηγμένων και αξιόπιστων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων για απαιτητικά τεχνολογικά οικοσυστήματα.
K4T1G164QJ-BCE7 Βασικά Τεχνικά Χαρακτηριστικά
Βάρος 1Gb DDR3 SDRAM. Δομή 1G x 16-bit. Ταχύτητα -1600Mbps. Τάση λειτουργίας 1,5V. Διασύνδεση DDR3 σύγχρονη. Τύπος πρόσβασης Τυχαία πρόσβαση μνήμης κατάλληλη για υψηλής ταχύτητας λειτουργίες.
K4T1G164QJ-BCE7 Μέγεθος Συσκευασίας
Τύπος Συσκευασία Ball Grid Array (BGA). Υλικό Υψηλής ποιότητας ημιαγωγικά υλικά πλήρωσης. Μέγεθος Κωδικός πλήρωσης 867 που υποδεικνύει διαστάσεις και αριθμό μπάλων. Ρύθμιση πόλων 867 πόλοι οργανωμένοι σε μορφή BGA για βέλτιστη συνδεσιμότητα και ακεραιότητα σήματος. Θερμικές ιδιότητες Σχεδιασμένο για αποδοτική αποδόμηση θερμότητας και διατήρηση επιδόσεων σε υψηλή συχνότητα. Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και υψηλή ακεραιότητα σημάτων για αξιόπιστη πρόσβαση στη μνήμη.
K4T1G164QJ-BCE7 Εφαρμογή
Ευρέως χρησιμοποιείται σε μονάδες μνήμης υπολογιστών, κάρτες γραφικών, εξοπλισμό δικτύωσης και ενσωματωμένα συστήματα που απαιτούν γρήγορη πρόσβαση DRAM. Κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής απόδοσης, φορητές συσκευές και καταναλωτικά ηλεκτρονικά που χρειάζονται λύσεις DDR3 μνήμης. Ιδανικό για συστήματα με υψηλό εύρος ζώνης και χαμηλό λανθάνοντα χρόνο.
K4T1G164QJ-BCE7 Χαρακτηριστικά
Προηγμένη τεχνολογία κατασκευής της Samsung διασφαλίζει υψηλή αξιοπιστία και συνεχή ποιότητα. Υποστηρίζει το πρότυπο DDR3 με ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων έως 1600 Mbps, βελτιώνοντας την απόδοση συστήματος. Περιλαμβάνει εσωτερική τερματοποίηση και προγραμματιζόμενο CAS latency για ευέλικτη ενσωμάτωση συστήματος. Βελτιστοποιημένο για χαμηλή κατανάλωση ενέργειας στα 1.5V, συμβάλλοντας σε ενεργειακά αποδοτικά σχέδια. Ενσωματωμένες δυνατότητες διόρθωσης σφαλμάτων και ανθεκτικότητα σήματος, ελαχιστοποιώντας σφάλματα δεδομένων και ενισχύοντας τη σταθερότητα του συστήματος. Η συσκευασία Ball Grid Array μειώνει τις διαταραχές σήματος και τον ηλεκτρομαγνητικό θόρυβο. Θερμικός σχεδιασμός για πυκνή συναρμολόγηση PCB με βελτιωμένη διαλυσιμότητα θερμότητας και μεγάλη διάρκεια λειτουργίας.
K4T1G164QJ-BCE7 Χαρακτηριστικά Ποιότητας και Ασφαλείας
Κατασκευάζεται υπό αυστηρά πρότυπα ποιοτικού ελέγχου της Samsung Semiconductor, διασφαλίζοντας προϊόντα χωρίς ελαττώματα. Συμμορφώνεται με βιομηχανικά πρότυπα ασφαλείας και περιβαλλοντικής προστασίας, όπως το RoHS. Η αξιόπιστη συσκευασία προστατεύει από ζημιές ηλεκτροστατικής εκφόρτισης κατά τη μεταφορά και χειρισμό. Δείγματα δοκιμών υπό θερμική και ηλεκτρική πίεση εξασφαλίζουν ανθεκτικότητα και μακροζωία σε απαιτητικές εφαρμογές.
K4T1G164QJ-BCE7 Συμβατότητα
Πλήρως συμβατό με διασυνδέσεις ελεγκτών μνήμης DDR3 και ευρεία γκάμα συστημάτων που υποστηρίζουν μονάδες μνήμης DDR3. Συνεργάζεται με κορυφαίες μητρική πλακέτα και πλατφόρμες τσιπ. Επεξεργάζεται άψογα με υψηλής ταχύτητας μικροεπεξεργαστές, κάρτες γραφικών και ενσωματωμένους ελεγκτές σε διάφορα ηλεκτρονικά συστήματα.
K4T1G164QJ-BCE7 Φυλλάδιο δεδομένων (PDF)
Ο ιστότοπός μας προσφέρει το πιο αξιόπιστο και ενημερωμένο φύλλο δεδομένων για το μοντέλο K4T1G164QJ-BCE7. Συνιστάται ένθερμα στους πελάτες να κατεβάζουν το φύλλο δεδομένων από αυτή τη σελίδα για να αποκτήσουν λεπτομερείς προδιαγραφές, σημειώσεις εφαρμογής και τεχνικές κατευθύνσεις. Το φύλλο δεδομένων παρέχει ολοκληρωμένες πληροφορίες, διευκολύνοντας καλύτερες επιλογές σχεδιασμού και βέλστη χρήση του προϊόντος.
Ποιοτικός Διανομέας
Η IC-Components είναι ένας κορυφαίος και αξιόπιστος διανομέας προϊόντων Samsung Semiconductor. Εγγυόμαστε αυθεντικά και γνήσια τμήματα Samsung K4T1G164QJ-BCE7, άμεσα αποσυρθέντα από τον κατασκευαστή. Οι πελάτες μπορούν να ζητήσουν ανταγωνιστική προσφορά μέσω της ιστοσελίδας μας, επωφελούμενοι από την εξειδικευμένη εξυπηρέτηση και την άμεση διαθεσιμότητα. Επιλέξτε IC-Components για αξιόπιστη υποστήριξη εφοδιαστικής αλυσίδας και εξειδικευμένη βοήθεια σε όλα τα ολοκληρωμένα κυκλώματα σας.