Σύμφωνα με βιομηχανικές πηγές που αναφέρονται από το ZDNet, η Samsung Electronics επαναξιολογεί τον σκοπό της Γραμμής NRD-K 2, η οποία είναι υπό κατασκευή στην πανεπιστημιούπολή της Γκιχουνγκ. Η εταιρεία εξετάζει το ενδεχόμενο να μετατρέψει την αρχικά προγραμματισμένη γραμμή έρευνας και ανάπτυξης σε γραμμή παραγωγής που θα αφιερωθεί στην κατασκευή βάσεων-Die λογικής 2nm για μνήμη επόμενης γενιάς υψηλής ζώνης (HBM). Η κίνηση αυτή προορίζεται να προετοιμάσει την εταιρεία για τη ραγδαία αυξανόμενη μελλοντική ζήτηση HBM από μεγάλους πελάτες όπως η Nvidia.
Σύμφωνα με βιομηχανικές πηγές που αναφέρονται από το ZDNet, η Samsung Electronics επαναξιολογεί τον σκοπό της Γραμμής NRD-K 2, η οποία είναι υπό κατασκευή στην πανεπιστημιούπολή της Γκιχουνγκ. Η εταιρεία εξετάζει το ενδεχόμενο να μετατρέψει την αρχικά προγραμματισμένη γραμμή έρευνας και ανάπτυξης σε γραμμή παραγωγής που θα αφιερωθεί στην κατασκευή βάσεων-Die λογικής 2nm για μνήμη επόμενης γενιάς υψηλής ζώνης (HBM). Η κίνηση αυτή προορίζεται να προετοιμάσει την εταιρεία για τη ραγδαία αυξανόμενη μελλοντική ζήτηση HBM από μεγάλους πελάτες όπως η Nvidia.
Η Γραμμή NRD-K 2 σχεδιάστηκε αρχικά για προηγμένη ανάπτυξη διαδικασιών. Σύμφωνα με το τελευταίο σχέδιο, η εγκατάσταση θα παρέχει κυρίως βάσεις-Die για εξατομικευμένα προϊόντα HBM και HBM5 μετά την έναρξη της λειτουργίας της. Η Samsung έχει αποφασίσει να κατασκευάσει βάσεις-Die HBM5 χρησιμοποιώντας μια διαδικασία 2nm βασισμένη στην αρχιτεκτονική gate-all-around (GAA). Τα προϊόντα επόμενης γενιάς αναμένεται να παρέχουν ρυθμούς μεταφοράς δεδομένων περισσότερους από 50% υψηλότερους από το HBM4E, καθιστώντας τα παραδοσιακά σχέδια βάσεων-Die όλο και λιγότερο ικανά να ικανοποιήσουν τις απαιτήσεις εύρους ζώνης και κατανάλωσης ενέργειας. Η Seoul Economic Daily είχε αναφέρει νωρίτερα ότι η Samsung αποκάλυψε δημόσια λεπτομέρειες για τη λύση HBM5 για πρώτη φορά τον Ιούνιο του τρέχοντος έτους.
Η γραμμή προγραμματίζεται να ξεκινήσει τις λειτουργίες της στο δεύτερο εξάμηνο του 2028. Πηγές δήλωσαν ότι επειδή η εγκατάσταση είναι σχετικά μικρή, είναι πιο πιθανό να λειτουργήσει υπό ένα μοντέλο "send-fab" ως βοηθητική γραμμή κατασκευής. Αντί να χειρίζεται τη συνολική διαδικασία παραγωγής wafer ανεξάρτητα, θα παραλαμβάνει wafers από τις κύριες γραμμές παραγωγής υψηλής δυναμικότητας της Samsung και θα εκτελεί μόνο επιλεγμένα στάδια διαδικασίας. Η εγκατάσταση θα συμπληρώσει τη χωρητικότητα προηγμένων κόμβων της Samsung αντί να λειτουργεί ως πλήρης, αυτόνομη παραγωγική γραμμή.
Το έργο είναι περίπου δύο χρόνια μακριά από την προγραμματισμένη ημερομηνία εκκίνησής του, και το τελικό σχέδιο δεν έχει ακόμη εγκριθεί. Αν και η εσωτερική πρόταση είναι σε μεγάλο βαθμό έτοιμη, παραγγελίες αγοράς εξοπλισμού δεν έχουν εκδοθεί. Το ποσό της επένδυσης και ο τελικός σκοπός της εγκατάστασης θα μπορούσαν ακόμη να προσαρμοστούν σε απάντηση σε αλλαγές στη ζήτηση της αγοράς ημιαγωγών.
Η NRD-K είναι ένα ολοκληρωμένο προηγμένο συγκρότημα έρευνας και ανάπτυξης που κατασκευάζεται από την Samsung με επένδυση περίπου 20 τρισεκατομμυρίων γουόν. Ο χώρος σχεδιάζεται να περιλαμβάνει τρεις γραμμές παραγωγής. Η Γραμμή 1 ολοκληρώθηκε στα τέλη του 2024, ενώ η προετοιμασία του χώρου για τη Γραμμή 2 ξεκίνησε φέτος και οι εργασίες θεμελίωσης είναι αυτή τη στιγμή σε εξέλιξη.
Η πιθανή μετατροπή της γραμμής R&D της Samsung σε μια αφιερωμένη γραμμή κατασκευής για βάσεις-Die HBM αντικατοπτρίζει τη στρατηγική της να ενισχύσει τον συντονισμό μεταξύ των επιχειρήσεων μνήμης και κατασκευής της. Τα προϊόντα HBM5 και τα εξατομικεύσιμα προϊόντα HBM που σχεδιάζονται για τις GPU Feynman επόμενης γενιάς της Nvidia θα απαιτούν υψηλής απόδοσης βάσεις-Die λογικής. Εάν η Samsung μπορεί να παράγει αυτές τις βάσεις-Die 2nm εσωτερικά, θα μπορούσε να ενισχύσει τη θέση της στην αγορά και να αποκτήσει μεγαλύτερο έλεγχο στην παραγωγική ικανότητα για ένα βασικό συστατικό HBM.