Στις 27 Ιουλίου, η Samsung Electronics δημοσίευσε μια επίσημη συνέντευξη με τον Κού Τζα-χιούν, επικεφαλής της ανάπτυξης τεχνολογίας για την επιχείρηση ημιαγωγών της εταιρείας. Στη συνέντευξη, η Samsung περιέγραψε για πρώτη φορά την αρχιτεκτονική της διαδικασίας, τις αναμενόμενες βελτιώσεις στην απόδοση και τις στοχευμένες εφαρμογές της επόμενης γενιάς HBM5 υψηλής ταχύτητας μνήμης, προσφέροντας σαφέστερες κατευθύνσεις για τη διαδρομή HBM της βιομηχανίας.
Ο Κού είπε ότι το HBM5 αναμένεται να λειτουργεί πάνω από 50% γρηγορότερα από τη σημερινή μαζικής παραγωγής γενιά HBM4E. Ο πυρήνας της βασικής πλάκας θα κατασκευαστεί χρησιμοποιώντας μια διαδικασία τρανζίστορ 2 νανομέτρων και θα συνδυαστεί με περαιτέρω αναβαθμισμένη, υψηλής ολοκλήρωσης τεχνολογία μέσω-σίλικα. Ο σχεδιασμός σκοπό έχει να προσφέρει κέρδη στην απόδοση σε ολόκληρη την αρχιτεκτονική τρανζίστορ, την τεχνολογία διαδικασίας πλάκας και τις στοίβες διασυνδέσεων.
Η Samsung θα εκμεταλλευτεί την εμπειρία διαδικασίας και τις ικανότητες μαζικής παραγωγής που έχει αποκτήσει από την παραγωγή βασικών πλακών HBM4 στον κόμβο 4 νανομέτρων. Εισάγοντας μια προηγμένη διαδικασία 2 νανομέτρων στο HBM5 πριν από τον χρόνο, η εταιρεία στοχεύει να ενισχύσει τη θέση της στην τεχνολογία στην αγορά υψηλής ποιότητας μνήμης AI.
Στον τομέα της επέκτασης της αγοράς, η Samsung σχεδιάζει να χρησιμοποιήσει το HBM5 ως βασικό προϊόν για να διευρύνει την πελατειακή της κάλυψη σε πολλές αγορές. Εκτός από την υποστήριξη της εκπαίδευσης μεγάλων μοντέλων AI και εφαρμογών υπολογιστών υψηλής απόδοσης, το προϊόν αναμένεται να επεκταθεί σε κινητές συσκευές, αυτοκινητιστικά ηλεκτρονικά, ανθρωποειδή ρομπότ και άλλες αναδυόμενες κατηγορίες. Μέσω των προϊόντων υψηλής ποιότητας μνήμης, η Samsung στοχεύει να καλύψει τη ζήτηση υπολογισμού σε πολλές κατηγορίες συσκευών και να επεκτείνει περαιτέρω το οικοσύστημα ημιαγωγών της.
Η συνέντευξη αντικατοπτρίζει τα τρέχοντα σχέδια ανάπτυξης τεχνολογίας της Samsung. Η εταιρεία δεν αποκάλυψε λεπτομέρειες σχετικά με την αύξηση απόδοσης της διαδικασίας 2 νανομέτρων GAA, τις προκλήσεις μαζικής παραγωγής της υψηλής ολοκλήρωσης στοίβας TSV, ή το πρόγραμμα δειγματισμού και μαζικής παραγωγής για το HBM5.
Οι παρατηρητές της βιομηχανίας περιμένουν ευρέως ότι το HBM5 θα γίνει μια τυπική λύση μνήμης για υψηλής ποιότητας επιταχυντές AI γύρω στο 2028. Πρόσθετες λεπτομέρειες σχετικά με τις προδιαγραφές προϊόντος, τις προσόντες πελατών και την παραγωγική ικανότητα αναμένονται να ανακοινωθούν σε μελλοντικές εκδηλώσεις τεχνολογίας ή ενημερώσεις εσόδων της Samsung.