Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.

Το τμήμα Samsung DS ζυγίζει την ανανεωμένη επένδυση σε τεχνολογίες ημιαγωγών επόμενης γενιάς

Σύμφωνα με το νοτιοκορεατικό μέσο ενημέρωσης ETNews, το τμήμα Device Solutions (DS) της Samsung Electronics συζητά σχέδια για την επανέναρξη των επενδύσεων έρευνας και εγκαταστάσεων σε τεχνολογίες ημιαγωγών επόμενης γενιάς.Η ανανεωμένη ώθηση αναμένεται να επικεντρωθεί σε τρεις προηγμένους τομείς: φλας NAND επόμενης γενιάς, σύνθετους ημιαγωγούς και προηγμένες συσκευασίες και υποστρώματα.Η κίνηση σηματοδοτεί την επιστροφή της Samsung σε έναν μεσοπρόθεσμο έως μακροπρόθεσμο οδικό χάρτη τεχνολογίας, αφού η δραστηριότητα της μνήμης ανέκτησε ξανά σταθερότητα.

Οι συζητήσεις επικεντρώνονται στην οριστικοποίηση των προτεραιοτήτων Ε&Α και στον καθορισμό ενός χρονοδιαγράμματος για τις επενδύσεις στις εγκαταστάσεις, με τα σχετικά σχέδια να βελτιώνονται ακόμη εσωτερικά.Η Samsung είχε προηγουμένως επιβραδύνει την πρόοδο σε ορισμένους νέους επιχειρηματικούς τομείς καθώς έδινε προτεραιότητα στην αποκατάσταση της ανταγωνιστικότητας σε DRAM και HBM.Από το δεύτερο εξάμηνο του 2024, ωστόσο, η δραστηριότητα της στη μνήμη συνέχισε να βελτιώνεται, υποστηριζόμενη από ισχυρότερους ρυθμούς απόδοσης DRAM, αυξανόμενη χρησιμοποίηση χωρητικότητας HBM και ανάκαμψη της ζήτησης της αγοράς.Με τις λειτουργίες της βασικής μνήμης να έχουν επανέλθει σε πιο σταθερή βάση, η Samsung ελευθερώνει τώρα εσωτερικούς πόρους για την ανάπτυξη νέας τεχνολογίας.

Στο φλας NAND επόμενης γενιάς, η Samsung εστιάζει στην ανάπτυξη V10 NAND, με στόχο να ξεπεράσει τα 400 επίπεδα.Αυτό θα σηματοδοτούσε ένα σημαντικό άλμα από την τρέχουσα V9 NAND 286 επιπέδων μαζικής παραγωγής και θα αύξανε την χωρητικότητα αποθήκευσης ανά γκοφρέτα για να καλύψει την αυξανόμενη ζήτηση για αποθήκευση υψηλής πυκνότητας στην εποχή της τεχνητής νοημοσύνης.Από τότε που η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή της έκδοσης TLC του V9 NAND τον Απρίλιο του 2024, η τεχνολογία παραγωγής της NAND έχει σημειώσει περιορισμένη πρόοδο για περισσότερα από δύο χρόνια.Η επανεκκίνηση της ανάπτυξης του V10 NAND αναμένεται να βοηθήσει στην αποκατάσταση του οδικού χάρτη τεχνολογίας flash της εταιρείας.

Στους σύνθετους ημιαγωγούς, η Samsung σχεδιάζει να επιταχύνει την ανάπτυξη γραμμών παραγωγής νιτριδίου του γαλλίου (GaN) και καρβιδίου του πυριτίου (SiC).Η γραμμή GaN 8 ιντσών της έχει προγραμματιστεί να ξεκινήσει τη λειτουργία της το δεύτερο τρίμηνο του 2026, ενώ η γραμμή SiC της στοχεύει για μαζική παραγωγή το 2028. Η Samsung έχει ήδη αρχίσει να δημιουργεί την αλυσίδα εφοδιασμού της και να προετοιμάζει αγορές εξοπλισμού, με σχέδια να επενδύσει 100 δισεκατομμύρια KRW έως 200 δισεκατομμύρια KRW σε βασικά εργαλεία όπως ο εξοπλισμός MOCVD.Η πρωτοβουλία στοχεύει στην αξιοποίηση ευκαιριών στους ημιαγωγούς ισχύος για ηλεκτρικά οχήματα, αποθήκευση ενέργειας και άλλες αναπτυσσόμενες αγορές.

Στο ανανεωμένο επενδυτικό σχέδιο περιλαμβάνονται επίσης προηγμένες εργασίες συσκευασίας και υποστρώματος.Η Samsung προχωρά με την ανάπτυξη τεχνολογίας συσκευασίας και τον σχετικό σχεδιασμό χωρητικότητας υποστρώματος για την υποστήριξη της ενοποίησης HBM και λογικών τσιπ, ενισχύοντας τη θέση της στη συσκευασία τσιπ τεχνητής νοημοσύνης.