TP65H050WS / TP65H035WS Τρανζίστορ επιπτώσεων πεδίου (FET) τρίτης γενιάς (Gen III) νιτρίδιου γαλλίου (GaN)

Τα GaN FETs της Transphorm διαθέτουν πιο αθόρυβη μεταγωγή μειώνοντας τις ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές (EMI) και αυξάνοντας την ανοσία του θορύβου

Τα TP65H050WS και TP65H035WS της Transphorm είναι Gen FΙV 650 V GaN FETs. Παρέχουν χαμηλότερη EMI, αυξημένη ανοχή θορύβου πύλης και μεγαλύτερη χωρητικότητα σε κυκλώματα. Τα 50 μέτρα & Omega? TP65H050WS και το 35 m & Omega; Τα TP65H035WS διατίθενται σε τυποποιημένα πακέτα TO-247.

Οι μεταβολές MOSFET και σχεδιασμού επιτρέπουν στις συσκευές Gen III να παράγουν αυξημένη τάση κατωφλίου (θωράκιση θορύβου) στα 4 V από 2.1 V (Gen II) η οποία εξαλείφει την ανάγκη για αρνητική κίνηση πύλης. Η αξιοπιστία της θύρας αυξήθηκε από το Gen II κατά 11% έως και + 20%. Αυτό οδηγεί σε πιο ήσυχη εναλλαγή και η πλατφόρμα προσφέρει βελτιωμένη απόδοση σε υψηλότερα επίπεδα ρεύματος με απλά εξωτερικά κυκλώματα.

Το 1600T της Seasonic Electronics Company είναι μια 1600 W πλατφόρμα γεφυρών τοτέμ-πόλων που χρησιμοποιεί αυτά τα FETs GaN υψηλής τάσης για απόδοση αποδοτικότητας 99% συντελεστή ισχύος (PFC) σε φορτιστές μπαταριών (e-scooters, βιομηχανικά κ.α.) , και αγορές παιχνιδιών. Τα οφέλη από τη χρήση αυτών των FETs με την πλατφόρμα 1600T με βάση το πυρίτιο περιλαμβάνουν αυξημένη απόδοση κατά 2% και αυξημένη πυκνότητα ισχύος κατά 20%.

Η πλατφόρμα 1600T χρησιμοποιεί το TP65H035WS της Transphorm για να επιτύχει αυξημένη αποτελεσματικότητα στα κυκλώματα σκληρού και μαλακού διακόπτη και παρέχει στους χρήστες επιλογές κατά το σχεδιασμό των προϊόντων του συστήματος ισχύος. Τα ζεύγη TP65H035WS με τους οδηγούς πύλης που χρησιμοποιούνται συνήθως για την απλοποίηση των σχεδίων.